SiC

In SEMIKRON Voll-Siliziumkarbidmodulen werden in den Gehäusen MiniSKiiP, SEMITOP und SEMITRANS SiC-MOSFETs der neuesten Generation und führenden Hersteller verbaut. Dadurch werden zuvor nicht gekannte Leistungsdichten in Kombination mit hohen Schaltfrequenzen, extrem niedrigen Verlusten und maximalem Wirkungsgrad erreicht.

Durch die drastische Erhöhung der Schaltfrequenz können passive Ausgangsfilter zur Filterung des Spannungssignals massiv reduziert werden. Da sich auch die Verlustleistung verringert, nimmt der Aufwand für die Kühlung der Komponenten ab, es können kleinere Kühlkörper und Lüfter verbaut werden.

Voll-Siliziumkarbidmodule von SEMIKRON sind verfügbar von 20A bis 500A bei 1200V Sperrspannung, mit und ohne Freilaufdioden. Erhältlich sind die Module als Halbbrücke, Dreifach-Booster und 6-Pack nicht nur in der klassischen Konfiguration, sondern auch mit getrennten Ausgängen, damit optimiertem Schaltverhalten und Flexibilität, sodass das Modul auch als H-Brücken oder in Buck/Boost-Schaltungen eingesetzt werden kann.

In Hybrid-SiC-Modulen verbindet SEMIKRON die IGBT-Technologie mit den Vorteilen von SiC-Schottkydioden der führenden Hersteller in den Gehäusen MiniSKiiP, SEMITRANS, SEMiX 3 Press-Fit und SKiM63/93, um so die Schaltfrequenz in der Applikation zu erhöhen und gleichzeitig die Schaltverluste zu reduzieren.

Hybrid-SiC-Module sind verfügbar von 50 bis 600A bei 1200V Sperrspannung in den Topologien 6-Pack und Halbbrücke.

SiC-Schottkydioden zeichnen sich dadurch aus, dass sie selbst keine Schaltverluste erzeugen, keinen Schweifstrom und nur eine extrem geringe Rückstromspitze besitzen und damit auch die Einschaltverluste im IGBT drastisch reduzieren können. Dadurch werden sehr einfach wesentlich höhere Schaltfrequenzen erreicht, wodurch eine Reduzierung der Ausgangsfilter möglich ist. Das trifft insbesondere für Anwendungen wie Solarwechselrichter oder unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV) zu. Zusätzlich kann auch die maximale Ausgangsleistung des Moduls um bis zu 50% erhöht werden und damit die Leistungsdichte gesteigert werden.